降本增效新路径：海翔科技赋能二手Prevos与Selis刻蚀装备的高品质复用

发布时间：2026-02-28 来历：转载 责任编纂：lily

【导读】于半导体系体例造向3D NAND超高层重叠与进步前辈逻辑GAA架构演进的要害阶段，高妙宽比通道刻蚀与纳米级高选择性蚀刻已经成为冲破存储密度极限与构建繁杂3D布局的焦点工艺瓶颈。泛林半导体（Lam Research）旗下的Prevos与Selis系列刻蚀装备，别离依附Cryo 3.0低温蚀刻技能与自由基/热蚀刻两重能力，以原子级精度及卓着的轮廓不变性，成为支撑400层以上3D NAND和进步前辈制程芯片量产的基石。然而，跟着财产对于成本节制需求的日趋火急，二手高端装备的合规畅通与复用已经成为行业降本增效的主要路径。面临这一趋向，海翔科技依托深挚的运维积淀，严酷对于标SEMI行业规范和《入口旧电机产物查验监视治理措施》，构建了涵盖拆机评估、整机检测到现场验机的全流程质量管控系统。本文旨于体系论述该系统针对于Prevos与Selis系列装备的技能实行规范，深切解析怎样经由过程尺度化的拆解标志、周详的部件损耗阐发和多维度的机能验证，确保二手焦点设备于复用历程中依然具有原厂级的工艺不变性与安全合规性，为半导体产线的连续进级提供坚实的技能保障。

一、弁言

于半导体高层数3D NAND存储器件制造中，高妙宽比通道刻蚀是冲破存储密度极限的焦点工艺，直接决议器件重叠层数与机能上限。泛林半导体（Lam Research）Prevos系列刻蚀装备，作为适配400层和以上3D NAND制造的专用高妙宽比刻蚀机型，搭载新一代Cryo 3.0低温蚀刻技能，依附原子级精准的等离子体节制能力、卓着的轮廓不变性和高效量产特征，可精准完成深宽比≥90:一、深度达10微米的3D NAND通道刻蚀，深度适配高端3D NAND产线需求。跟着半导体财产成本节制需求进级，二手Prevos系列装备的市场化畅通日趋频仍。海翔科技基在多年半导体装备运维经验，严酷遵照SEMI行业规范和《入口旧电机产物查验监视治理措施》，成立了涵盖拆机评估、整机检测、现场验机的全流程质量管控系统，为二手Prevos装备的合光复用提供技能保障。本文将体系论述该系统的焦点技能要点与实行规范。

于进步前辈3D逻辑与内存器件制造中，高选择性蚀刻是实现纳米片/纳米线等繁杂3D布局的焦点工艺，需于0.1nm标准精度下实现质料的等方性去除了，同时防止毁伤相邻要害质料层。泛林半导体（Lam Research）Selis系列刻蚀装备作为高选择性蚀刻解决方案的焦点机型，交融自由基与热蚀刻两重能力，可精准完成虚拟多晶硅去除了、锗硅（SiGe）去除了（GAA布局）、氧化膜凹陷等要害工序，深度适配进步前辈制程芯片制造需求。跟着半导体财产成本节制需求进级，二手Selis系列装备的市场化畅通日趋频仍。海翔科技基在多年半导体装备运维经验，严酷遵照SEMI行业规范和《入口旧电机产物查验监视治理措施》，成立了涵盖拆机评估、整机检测、现场验机的全流程质量管控系统，为二手Selis装备的合光复用提供技能保障。本文将体系论述该系统的焦点技能要点与实行规范。

二、Selis系列装备焦点技能特征

Selis系列装备的焦点竞争力源在其针对于进步前辈3D布局优化的高选择性蚀刻工艺系统。该机型怪异集成自由基与热蚀刻双功效，实现超高选择性的同时，可精准节制蚀刻轮廓的上下一致性，防止对于晶圆布局造成毁伤；依附0.1nm标准的原子级精度节制，能于高妙宽比布局中实现质料等方性去除了，有用满意3D逻辑与内存器件的微纳加工需求。装备搭载立异化学系统与矫捷温控技能，撑持多工艺快速切换，适配虚拟多晶硅、锗硅、氧化膜等多种质料的蚀刻场景，同时具有优秀的量产不变性与维护便捷性。其刻蚀腔室采用专用防污染涂层，可有用按捺蚀刻副产品残留，保障工艺不变性并延伸维护周期。二手装备的评估与检测需缭绕焦点特征，重点验证蚀刻选择性、原子级精度节制能力和双蚀刻体系协同不变性等要害参数。

三、拆机评估规范

拆机历程需严酷遵照SEMI规范与Prevos原厂技能手册，组建机械与电气工程师结合团队，履行“先标志后拆解”的尺度化流程。焦点要求包括：一是基准标志，用激光打标机于焦点部件与主体毗连处做三维定位标志，重点记载Cryo 3.0低温节制体系、脉冲等离子反映器等要害部件的装置间隙数据并照相存档，为后续回装提供精准参照；二是专用东西适配，采用扭矩扳手按尺度力矩松开螺栓，对于过盈共同部件利用液压拉拔器辅助拆卸，严禁暴力敲击；三是部件防护，拆下的焦点部件按挨次摆放并采用专用防护袋包裹，特别看重低温模块的密封防潮防护，腔室组件拆卸后当即用堵头密封接口，避免粉尘污染。评估重点为要害部件完备性与损耗状况，经由过程辉光放电光谱仪阐发腔室防沉积涂层厚度，白光干预干与仪检测腔体内壁外貌粗拙度（Ra≤0.015μm），确保切合Prevos原厂尺度。

拆机历程需严酷遵照SEMI规范与Selis原厂技能手册，组建机械与电气工程师结合团队，履行“先标志后拆解”的尺度化流程。焦点要求包括：一是基准标志，用激光打标机于焦点部件与主体毗连处做三维定位标志，重点记载自由基发生模块、热蚀刻体系等要害部件的装置间隙数据并照相存档，为后续回装提供精准参照；二是专用东西适配，采用扭矩扳手按尺度力矩松开螺栓，对于过盈共同部件利用液压拉拔器辅助拆卸，严禁暴力敲击；三是部件防护，拆下的焦点部件按挨次摆放并采用专用防护袋包裹，特别看重周详化学管路与温控模块的密封防护，腔室组件拆卸后当即用堵头密封接口，避免粉尘污染。评估重点为要害部件完备性与损耗状况，经由过程辉光放电光谱仪阐发腔室防污染涂层厚度，白光干预干与仪检测腔体内壁外貌粗拙度（Ra≤0.015μm），确保切合Selis原厂尺度。

整机状况评估需构建“部件-体系-机能”三级检测系统。部件层面，重点核查Cryo 3.0低温等离子系统统、真空体系等焦点模块的原厂匹配性，检测电气体系绝缘电阻（动力回路不低在0.5MΩ，节制回路不低在1MΩ）与接地持续性，确保切合SEMI安全规范；体系层面，经由过程装备主控体系调取汗青运行数据，阐发妨碍报警记载与维护日记，重点评估低温节制精度、脉冲等离子不变性等要害参数；机能层面，模仿量产工况举行3-5个完备轮回的空载与负载测试，用扫描电子显微镜不雅察高妙宽比刻蚀侧壁轮廓，验证刻蚀深度匀称性与要害尺寸误差是否达标。同时，核查装备技能文件完备性，包括原厂及格证、维护记载等，确保Prevos装备合规性。

海翔科技 —— 深耕二手半导体装备范畴的专业领航者，依附深挚行业堆集，为客户打造一站式装备和配件供给解决方案。

于半导体前段制程范畴，咱们拥有海量优质二手装备资源，精准匹配芯片制造的要害环节需求；后道封装装备板块，富厚的装备品类笼罩封装全流程，助力客户降本增效。

咱们还有提供齐备的二手半导体专用配件，从焦点部件到周详耗材，为装备不变运行保驾护航。海翔科技，以多元产物矩阵与专业办事，为半导体财产成长注入强劲动力。

总结

Prevos与Selis系列装备作为进步前辈半导体系体例造的焦点引擎，其二手价值的最年夜化开释高度依靠在科学严谨的全生命周期质量管控。海翔科技所成立的“拆机 - 检测 - 验机”闭环系统，不仅经由过程激光三维标志、微不雅外貌粗拙度检测（Ra≤0.015μm）和电断气缘测试等量化手腕，精准还有原了装备于Cryo 3.0低温节制、高选择性蚀刻等要害工艺上的原始机能指标，更从轨制层面确保了装备流转切合SEMI规范与国度入口旧电机羁系要求。实践证实，惟有对峙“部件完备性、体系不变性、机能达标性”的三级评估尺度，才能有用规避二手装备复用中的技能危害，实现从“可用”到“好用”的超过。将来，海翔科技将继承深耕二手半导体装备范畴，以多元化的产物矩阵及专业化的技能办事，助力客户于芯片制造的前道刻蚀与后道封装环节实现显著的降本增效，为鞭策半导体财产链的可连续成长注入强劲动力。