【导读】2026年7月16日，致力在亚太地域市场的国际领先半导体元器件分销商---年夜联年夜控股旗来世平集团公布，联袂安森美（onsemi）举办“3kW高功率密度图腾柱PFC + 次级稳压LLC电源架构”钻研会，体系解说怎样经由过程SiC MOSFET、高频LLC、同步整流和高端节制器，打造统筹高效、高功率密度与低EMI的新一代AC/DC电源体系。

于全世界AI算力发作与绿色能源转型的两重驱动下，电源架构正履历从“配套支撑”到“算力命根子”的脚色跃迁。为应答AI办事器、5G电信基站和高端工业装备对于功率密度与转换效率的极致寻求，年夜联年夜世平联袂安森美推出“基在NCP1681及NCP4390的SiC图腾柱PFC方案”，乐成打破了高频与高损耗的传统衡量，于280妹妹×110妹妹×38妹妹紧凑体积内实现3kW输出(42W/in3)与98.4%峰值效率，为下一代电源的架构树立了新尺度。

年夜联年夜世平集团/onsemi产线华南技能撑持组专员刘春让暗示，图腾柱拓扑经由过程彻底去除了输入整流桥，将导通损耗从二极管的固定正向压降改变为MOSFET的导通电阻损耗，于3kW功率下可降低导通损耗超70%。

本方案前级节制采用的NCP1681是图腾柱PFC专用数字节制器，其集成AC线电压监测、电流重构与数字赔偿引擎。撑持CCM固定频率与Multi-Mode两种事情模式，经由过程ZCD过零检测与CS电流斜率检测实现切确功率因数校订，PFCOK引脚提供体系级使能联锁功效。尔后级节制中枢搭载NCP4390，其采用次级侧调治架构，直接于48V输出端举行闭环节制，消弭传同一次侧节制的光耦传输延迟，将瞬态相应速率晋升一个数目级。电荷电流节制以开关电流时间积分替换传统峰值电流或者电压模式，实现单顶点转移函数特征，显著简化环路赔偿设计并提供极快的负载瞬态相应与固有的路线电压前馈能力。

快桥臂利用650V SiC MOSFET（型号NTH4L032N065M3S），卖力150kHz的高频开关。SiC的低Qg（栅极电荷）及低Coss（输出电容）特征，使患上开关损耗只有硅器件的三分之一，这是支撑高频率运行的物理基础。慢桥臂利用超结MOSFET（型号FCH023N065S3L4），它只需要于工频50或者60Hz换向，开关损耗险些可以纰漏，咱们使用超结的低Rdson特征来降低导通损耗，同时成本比SiC低许多。

体系协同层面，NCP1681与NCP4390之间经由过程PFCOK光耦旌旗灯号成立四级启动时序，实现从母线稳压到断绝输出的完备握手机制，共同NCP4390集成的OCP双级过流掩护、OSP输出短路掩护和NON-ZVS非零电压切换预防等多重工业级掩护，确保体系于全负载域与宽温度规模内不变运行。

针对于高频电源带来的EMI/EMC兼容挑战，年夜联年夜世平集团/深圳运用技能处总监郑保夏以本方案为例，构建了从滋扰源、流传路径、滤波按捺到测实验证的完备应答框架。他暗示，EMI/EMC兼容设计是一项体系工程，需要于电路拓扑、元器件选择、PCB结构、滤波设计、屏蔽接地、测实验证等方面综合思量，经由过程重复测试与优化，才能满意法例要求并统筹产物机能、成本与靠得住性。

于钻研会上，郑保夏进一步分享了“基在NCP1681及NCP4390的SiC图腾柱PFC方案”的实用滤波设计计谋：差模噪声重要存于在前线与零线之间，设计时经由过程合理设定滤波器截止频率（远低在150kHz），优化X电容结构并防止电容过年夜，同时，评估LC谐振峰值，须要时增设阻尼元件予以按捺；而共模噪声则经前线、零线与地之间的寄生电容耦合，需经由过程共模电感与Y电容的合理配置，于电磁兼容性与安全泄电流之间实现平衡。

调试阶段则应缭绕150kHz~30MHz全频段举行LISN扫描验证，重点排查LLC/PFC开关谐波、旁带和宽带dv/dt噪声，并依据实测曲线迭代优化滤波器参数、热环路结构与屏蔽接地办法，终极于全频段内满意法例限值并保留足够裕量。

从拓扑立异到EMI体系化设计，本次钻研会为工程师提供了高功率密度电源设计的完备参考路径。将来，年夜联年夜世平将连续联袂安森美等原厂，以更高机能、更高靠得住性的电源解决方案，赋能绿色算力基础举措措施可连续成长。

作为全世界领先电子元器件分销商，年夜联年夜世平集团代办署理品牌完备，产物笼罩从3C、工业电子到汽车电子，提供从基础元件到焦点组件以致物联网解决方案的全品类组合，满意客户多元采购需求。公司连续强化软硬件整合的技能撑持能力，涵盖零件推广、次体系与体系整合解决方案、物联网和云端运用与APP开发，并设有专属试验室与专业装备，助力客户缩短研发周期、实现快速量产。

本次钻研会全程经由过程年夜联年夜旗下平台“世平年夜年夜芯”举行直播，无需注册登录便可不雅看，“世平年夜年夜芯”平台每个月举办多场钻研会，分享市场最新技能趋向与热点运用实例。接待业界同仁随时回首出色内容，深切相识3kW SiC图腾柱PFC高密度电源架构的设计与阐发